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FDA28N50

FDA28N50

TO-3P-3 N沟道,通态漏极电流ID=28A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=500V,漏源电阻RDS(on)<=0.155欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=14A,耗散功率PD=310W at 25摄氏度
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FDA28N50,TO-3P-3 N沟道,通态漏极电流ID=28A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=500V,漏源电阻RDS(on)<=0.155欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=14A,耗散功率PD=310W at 25摄氏度

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