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    IRF1404
    描述:TO-220 N沟道,漏极电流ID=162A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=40V,漏源电阻RDS(on)<=0.004欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=95A,耗散功率PD=200W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  • 100
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  • 5.0
  • 4.3
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    IRF2807
    描述:TO-220 N沟道,82A,75V,0.013欧
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  • 1
  • 50
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  • 3.7
  • 3.3
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    2N60
    描述:TO-251 N沟道,通态漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=1A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 1.5
  • 1.15
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    2N60L-TN3
    描述:TO-252 品牌UTC N沟道,漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=1A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 1.5
  • 1.2
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    8205A
    描述:TSSOP8 品牌HXY 2个N沟道 20V 6A 23m欧
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  • 1
  • 50
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  • 0.55
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    RHP020N06T100
    描述:SOT89 品牌ROHM/罗姆 N沟道,通态漏极电流ID=2A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=0.15欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=2A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 1.8
  • 1.55
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    8N60C
    描述:TO-220 N沟道,漏极电流ID=7.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=1.2欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=3.75A,耗散功率PD=147W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 3.5
  • 2.8
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    FQP6N80C
    描述:TO-220 进口仙童/ON N沟道,通态漏极电流ID=5.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=2.5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=2.75A,耗散功率PD=158W at 25摄氏度
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  • 1
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  • 4.2
  • 另议
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    FQP8N80C
    描述:TO-220 进口仙童N沟道,通态漏极电流ID=8A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)<=1.55欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=4A,耗散功率PD=178W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 7
  • 另议
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    10N60A
    描述:TO-220F N沟道,漏极电流ID=9A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=600V,漏源电阻RDS(on)<=0.8欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=9A,耗散功率PD=50W at 25摄氏度
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  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 4
  • 3.25
  •  
    P60NF06
    描述:TO-220 进口ST N沟道,漏极电流ID=16A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=0.1欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=8A,耗散功率PD=45W at 25摄氏度
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  • 1
  • 50
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  • 4.4
  • 4
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    FQP17P10
    描述:TO-220 P沟道,通态漏极电流ID=-16.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=-100V,漏源电阻RDS(on)<=0.19欧 at 栅源电压VGS=-10V 漏极电流ID=-8.25A ,耗散功率PD=100W at 25摄氏度
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  • 1
  • 50
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  • 8.5
  • 另议
  •  
    P75NF75
    描述:TO-220 N沟道,漏极电流ID=80A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=75V,漏源电阻RDS(on)<=0.011欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=40A,耗散功率PD=300W at 25摄氏度
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  • 1
  • 50
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  • 3.9
  • 3.5
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    IPP15N03L
    描述:TO-220 品牌infineon N沟道,漏极电流ID=42A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0126欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=21A,耗散功率PD=83W at 25摄氏度
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  • 1
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  • 7
  • 时价
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    K1249(2SK1249)
    描述:TO-3P N沟道,漏源击穿电压VDSS=500V,漏极电流ID=15A 进口
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  • 1
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  • 11.5
  • 另议
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    K2842(2SK2842)
    描述:TO-220 N沟道,漏源击穿电压VDSS=500V,漏源电阻RDS(on)=0.04欧 at 栅源电压VGS=+-30V 漏极电流ID=12A,耗散功率PD=40W
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  • 1
  • 50
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  • 4.5
  • 3.7
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    SSP7N80A
    描述:TO-220 N沟道,漏源击穿电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)=1.8欧 漏极电流ID=7A
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  • 1
  • 50
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  • 8
  • 另议
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    FDA70N20
    描述:TO-3PN 品牌FAIRCHILD N沟道,200V,70A,35毫欧
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  • 1
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  • 19
  • 另议
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    RFP25N05
    描述:TO-220 品牌FSC N沟道,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.047欧 漏极电流ID=25A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 7
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    RFP30P05 国产优质
    描述:TO-220 国产大芯片 P沟道,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电流ID=30A
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  • 1
  • 50
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  • 3.5
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  •  
    RFP30P05 翻新
    描述:TO-220 品牌FSC P沟道,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电流ID=30A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 4.5
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    RFP40N10
    描述:TO-220 进口ST 40A,100V,0.04ohm,N沟道,硅,场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 5
  • 另议
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    RFP40N10  台产
    描述:TO-220 品牌VB N沟道 100V 45A 内阻32mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 3.2
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  •  
    MTP60N15
    描述:TO-220 台产
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 5.5
  • 另议
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    数量:;价格:
    TP0610L 散新
    描述:TO-92,品牌威士,180mA,60V,P沟道,硅小信号,场效应管
  • 数量
  • 1
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  • 7.5
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    SSF6010 台产
    描述:TO-220 台产SILIKRON 64A,60V,0.013欧姆, N沟道
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  • 1
  • 50
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  • 3.5
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    FDC604P
    描述:SOT-6 P沟道,漏极电流ID=-5.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=-20V,漏源电阻RDS(on)=0.033欧 at 栅源电压VGS=-4.5V 漏极电流ID=-5.5A,漏源电阻RDS(on)=0.043欧 at 栅源电压VGS=-2.5V 漏极电流ID=-4.8A,漏源电阻RDS(on)=0.060欧 at 栅源电压VGS=-1.8V 漏极电流ID=-4.0A,耗散功率PD=1.6W at 25摄氏度
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  • 1
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  • 2.5
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