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    AP2306N
    描述：封装SOT23 N沟道 20V,5.3A,32毫欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.7
  • 0.5
  •  
    AP2306N-VB
    描述：封装SOT23 N沟道 20V,5.3A,32毫欧 微碧半导体
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.7
  • 0.5
  •  
    BSS138 正品长电
    描述：SOT23 品牌CJ N沟道 0.22A 50V,3.5欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.32
  • 0.25
  •  
    BSS138
    描述：SOT23 品牌ON N沟道 0.22A 50V,3.5欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.6
  • 0.47
  •  
    CJ2301
    描述：封装SOT23 印字S1 P沟道 20V 2.3A 正品长电
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.4
  • 0.3
  •  
    SI2302
    描述：封装SOT23 品牌合科泰 N沟道 20V 2.1A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.19
  • 0.15
  •  
    SI2303CDS-T1-GE3
    描述：封装SOT23 品牌VISHAY P沟道 30V 1.9A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.8
  • 0.6
  •  
    SI2309A
    描述：封装SOT23 P沟道 60V 1.25A 品牌友台半导体
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 0.65
  • 0.55
  •  
    Si2323DS
    描述：封装SOT23 P沟道 20V 品牌VISHAY
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.25
  •  
    MMBF170
    描述：SOT23 品牌仙童 N沟道 0.5A 60V,通态漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.4
  • 1.2
  •  
    Si3443DV
    描述：封装TSOP6 P沟道 20V 品牌VISHAY
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.2
  •  
    Si4410DY
    描述：SOP8 品牌IR
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议
  •  
    AOD410 台产
    描述：TO252 品牌台产AOS N沟道 30V 8A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 另议
  •  
    AOD417
    描述：TO252 品牌AOS P沟道 30V 25A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 另议
  •  
    AOD603A
    描述：TO252-4L 品牌ALPHA N沟道和P沟道 60V
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议
  •  
    RFP50N06
    描述：TO-220 品牌FSC 60V 50A 内阻22mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.5
  • 另议
  •  
    SUD50N06-09L-E3-VB
    描述：TO-252-2L贴式 品牌微碧 60V 50A 内阻10mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3
  • 另议
  •  
    SVD50N06D
    描述：TO-252-2L贴式 品牌士兰微 60V 50A 内阻23mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议
  •  
    IRFR220N
    描述：贴片TO-252 进口IR N沟道，200V,5A,600毫欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.3
  • 另议
  •  
    IR2103S
    描述：SOP8 品牌IR 600V 130mA/270mA 半桥场效应管驱动器
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.8
  • 另议
  •  
    TPS1120D
    描述：SOP8 品牌TI P沟道,15V 1170mA,2通道
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 另议
  •  
    DN2540N8
    描述：封装SOT89 品牌SUPERTEXI 0.17A, 25欧, N沟道 硅场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 9
  • 另议
  •  
    SI7884BDP
    描述：PowerPAK SO-8 品牌VISHAY 18.5A,40V,0.0075欧, N沟道, 硅场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 10
  • 另议
  •  
    UT12N10
    描述：封装TO-252 品牌：UTC N沟道 12A 100V 0.18欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.2
  • 另议
  •  
    RFD14N05L
    描述：封装TO-252 品牌：仙童 14A, 50V, 0.1ohm, N沟道硅场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 8.5
  • 另议
  •  
    XP152A12C0MR
    描述：封装SOT23 品牌TOREX 0.7A, 20V, P沟道硅场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 另议
  •  
    SI4435DDY-T1-E3
    描述：SOP8 品牌VISHAY 8A,30 V,P沟道,硅
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 另议
  •  
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