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描述:TO-92 N沟道 栅极电流IG=10mA at 25摄氏度,栅漏击穿电压VGDS=-50V,耗散功率PD=0.1W at 25摄氏度
描述:TO-3PL 品牌富士通 N沟道 30A,500V,0.25欧
描述:TO-251 进口IR N沟道,漏极电流ID=7.7A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)=0.27欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=4.6A,耗散功率PD=42W at 25摄氏度
描述:TO-263 品牌AOS N沟道,通态漏极电流ID=51A,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.0025欧 at 栅源电压VGS=10V
描述:封装SOT363(SC706L) 品牌仙童 220 mA, 25 V,2通道, N和P沟道
描述:品牌仙童 封装QFN 贴式8脚 N沟道 100V, 60A, 8mΩ
描述:品牌仙童 SOT-223 N沟道 100V, 2.3A, 0.2Ω
描述:品牌NXP SOT-223 N沟道 100V
描述:封装SOT-223 品牌ON P沟道 60V,2.6A
描述:封装SOT-223 品牌ZETEX N沟道 100V,1.67A 0.75欧
描述:封装SOT23 品牌ON P沟道 20V,3.2A
描述:封装TO-264 品牌仙童 N沟道 500V,40A,0.11欧
描述:封装SOT23 品牌ON N沟道 60V,115mA,5欧
描述:封装SOT23 N沟道 20V,5.3A,32毫欧
描述:封装SOT23 N沟道 20V,5.3A,32毫欧 微碧半导体
描述:SOT23 品牌CJ N沟道 0.22A 50V,3.5欧
描述:SOT23 品牌ON N沟道 0.22A 50V,3.5欧
描述:封装SOT23 印字S1 P沟道 20V 2.3A 正品长电
描述:封装SOT23 品牌合科泰 N沟道 20V 2.1A
描述:封装SOT23 品牌VISHAY P沟道 30V 1.9A
描述:封装SOT23 N沟道 60V 3A 95mΩ 品牌友台半导体
描述:封装SOT23 P沟道 60V 1.25A 品牌友台半导体
描述:封装SOT23 P沟道 20V 品牌VISHAY
描述:SOT23 品牌仙童 N沟道 0.5A 60V,通态漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
描述:封装TSOP6 P沟道 20V 品牌VISHAY
描述:TO252 品牌台产AOS N沟道 30V 8A
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