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◇当前所在位置:所有产品 >> 二三极管 场效应 晶闸管等
    SSP7N80A
    描述:TO-220 N沟道,漏源击穿电压VDSS=800V,漏源电阻RDS(on)=1.8欧 漏极电流ID=7A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
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  • 8
  • 另议
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    FQA70N10
    描述:TO-3P 品牌ON N沟道,100V,70A,23毫欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 14
  • 另议
  •  
    FDA70N20
    描述:TO-3PN 品牌FAIRCHILD N沟道,200V,70A,35毫欧
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 19
  • 另议
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    FQP30N06L-VB
    描述:TO-220 品牌微碧 N沟道,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)=0.127欧 漏极电流ID=18A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 3.2
  • 另议
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    RFP25N05
    描述:TO-220 品牌FSC N沟道,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.047欧 漏极电流ID=25A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 7
  • 另议
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    FQP27P06
    描述:TO-220 友台半导体 P沟道,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)=0.07欧 漏极电流ID=13.5A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 2.7
  • 另议
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    RFP30P05 国产优质
    描述:TO-220 国产大芯片 P沟道,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电流ID=30A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 3.5
  • 另议
  •  
    RFP30P05 翻新
    描述:TO-220 品牌FSC P沟道,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)=0.065欧 漏极电流ID=30A
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 4.5
  • 另议
  •  
    RFP40N10
    描述:TO-220 进口ST 40A,100V,0.04ohm,N沟道,硅,场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5
  • 另议
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    RFP40N10  台产
    描述:TO-220 品牌VB N沟道 100V 45A 内阻32mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.2
  • 另议
  •  
    MTP60N15
    描述:TO-220 台产
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 5.5
  • 另议
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    数量:;价格:
    TP0610L 散新
    描述:TO-92,品牌威士,180mA,60V,P沟道,硅小信号,场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 7.5
  • 另议
  •  
    SSF6010 台产
    描述:TO-220 台产SILIKRON 64A,60V,0.013欧姆, N沟道
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 价格
  • 3.5
  • 另议
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    FDC604P
    描述:SOT-6 P沟道,漏极电流ID=-5.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=-20V,漏源电阻RDS(on)=0.033欧 at 栅源电压VGS=-4.5V 漏极电流ID=-5.5A,漏源电阻RDS(on)=0.043欧 at 栅源电压VGS=-2.5V 漏极电流ID=-4.8A,漏源电阻RDS(on)=0.060欧 at 栅源电压VGS=-1.8V 漏极电流ID=-4.0A,耗散功率PD=1.6W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.5
  • 另议
  •  
    IPP14N03LA
    描述:P-TO220-3-1原装进口 N沟道,通态漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
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  •  
  • 价格
  • 11
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    IPI14N03LA
    描述:P-TO262-3-1 原装进口 N沟道,通态漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
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  • 价格
  • 11
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    IPB14N03LA
    描述:P-TO263-3-2 原装进口 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  •  
  •  
  • 价格
  • 7.0
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  •  
    IPB114N03L
    描述:PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0114欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=38W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 3
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    IPB09N03LA 散新
    描述:P-TO263-3-2 散新 品牌infineon N沟道,漏极电流ID=50A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散功率PD=63W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3
  • 2.5
  •  
    IPB09N03LA 进口
    描述:P-TO263-3-2 品牌infineon N沟道,通态漏极电流ID=50A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散功率PD=63W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 另议
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    IPB039N04LG
    描述:PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=80A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=40V,漏源电阻RDS(on)<=0.039欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=80A,耗散功率PD=94W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5.3
  • 4.7
  •  
    BSS84
    描述:SOT-23 P沟道,漏极电流ID=-0.13A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)<=10欧 at 栅源电压VGS=-5V 漏极电流ID=-0.1A,耗散功率PD=0.36W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 0.2
  • 0.15
  •  
    IRFD120
    描述:DIP4 N沟道,通态漏极电流ID=1.3A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.27欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.4
  • 2
  •  
    IRFD123
    描述:4脚直插 N沟道,漏极电流ID=1.1A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=80V,漏源电阻RDS(on)<=0.4欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.6A,耗散功率PD<=1W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.7
  • 4.3
  •  
    2SK660
    描述:TO-92 N沟道 10mA 20V, 品牌NEC
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 另议
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    BS170
    描述:TO-92 N沟道,漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.25
  •  
    BS170P
    描述:SOT223 国产infineon,N沟道 0.5A 60V,通态漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
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  • 1.6
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