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◇当前所在位置：所有产品 >> 二三极管 场效应 晶闸管等
    3DJ6F
    描述：TO-18 结型耗尽型场效应管;N沟道、 20V 、15mA 、100mW
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 6
  • 另议
  •  
    数量：个；价格：元
    2SK30A
    描述：TO-92 N沟道 栅极电流IG=10mA at 25摄氏度,栅漏击穿电压VGDS=-50V,耗散功率PD=0.1W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 1.2
  • 0.9
  •  
    2SK1020 翻新
    描述：TO-3PL 品牌富士通 N沟道 30A,500V,0.25欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 15
  • 另议
  •  
    IRFU120
    描述：TO-251 进口IR N沟道,漏极电流ID=7.7A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)=0.27欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=4.6A,耗散功率PD=42W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 1.7
  •  
    AOB414
    描述：TO-263 品牌AOS N沟道,通态漏极电流ID=51A,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.0025欧 at 栅源电压VGS=10V
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 另议
  •  
    FDG6322C
    描述：封装SOT363(SC706L) 品牌仙童 220 mA, 25 V,2通道, N和P沟道
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.2
  • 1
  •  
    FDMS86101
    描述：品牌仙童 封装QFN 贴式8脚 N沟道 100V, 60A, 8mΩ
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 7.5
  • 另议
  •  
    IRFM120A
    描述：品牌仙童 SOT-223 N沟道 100V, 2.3A, 0.2Ω
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5
  • 另议
  •  
    PMT200EN
    描述：品牌NXP SOT-223 N沟道 100V
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5.5
  • 另议
  •  
    NTF2955T1G
    描述：封装SOT-223 品牌ON P沟道 60V,2.6A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议
  •  
    ZVN4310G
    描述：封装SOT-223 品牌ZETEX N沟道 100V,1.67A 0.75欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 另议
  •  
    NTR4101PT1G
    描述：封装SOT23 品牌ON P沟道 20V,3.2A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1
  • 另议
  •  
    FQL40N50
    描述：封装TO-264 品牌仙童 N沟道 500V,40A,0.11欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 40
  • 另议
  •  
    2N7002LT1G
    描述：封装SOT23 品牌ON N沟道 60V,115mA,5欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.35
  • 0.25
  •  
    AP2306N
    描述：封装SOT23 N沟道 20V,5.3A,32毫欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.7
  • 0.5
  •  
    AP2306N-VB
    描述：封装SOT23 N沟道 20V,5.3A,32毫欧 微碧半导体
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.7
  • 0.5
  •  
    BSS138 正品长电
    描述：SOT23 品牌CJ N沟道 0.22A 50V,3.5欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.32
  • 0.25
  •  
    BSS138
    描述：SOT23 品牌ON N沟道 0.22A 50V,3.5欧
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.5
  • 0.37
  •  
    CJ2301
    描述：封装SOT23 印字S1 P沟道 20V 2.3A 正品长电
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.4
  • 0.3
  •  
    SI2302
    描述：封装SOT23 品牌合科泰 N沟道 20V 2.1A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.19
  • 0.15
  •  
    SI2303CDS-T1-GE3
    描述：封装SOT23 品牌VISHAY P沟道 30V 1.9A
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 0.8
  • 0.6
  •  
    SI2308A
    描述：封装SOT23 N沟道 60V 3A 95mΩ 品牌友台半导体
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 0.25
  • 0.2
  •  
    SI2309A
    描述：封装SOT23 P沟道 60V 1.25A 品牌友台半导体
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 0.5
  • 0.4
  •  
    Si2323DS
    描述：封装SOT23 P沟道 20V 品牌VISHAY
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.25
  •  
    MMBF170
    描述：SOT23 品牌仙童 N沟道 0.5A 60V,通态漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.4
  • 1.2
  •  
    Si3443DV
    描述：封装TSOP6 P沟道 20V 品牌VISHAY
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.2
  •  
    Si4410DY
    描述：SOP8 品牌IR
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 另议
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