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◇当前所在位置：所有产品 >> 二三极管 场效应 晶闸管等
    BCP56
    描述：贴片SOT-223 NPN 1A 80V 品牌NXP
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.3
  • 1.1
  •  
    BCP53
    描述：贴片SOT-223 PNP 1A 80V 品牌NXP
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 1.3
  • 1.1
  •  
    2SD1980
    描述：贴片TO-252 品牌ROHM NPN,2A,100V
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 另议
  •  
    2SD1804L
    描述：贴片TO-252 NPN Vceo=50V Ic=8A
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.25
  •  
    2SB1204
    描述：贴片TO-252 PNP Vceo=50V Ic=8A
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 1.25
  •  
    2SC2946
    描述：贴片TO-252 NPN Vceo=200V
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 2.5
  • 另议
  •  
    MJD122T4G
    描述：贴片TO-252 进口ON NPN 印字J122G
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 4.2
  • 另议
  •  
    MJD127T4G
    描述：贴片TO-252 进口ON PNP 印字J127G
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 另议
  •  
    MJD31C
    描述：贴片TO-252 品牌长电 NPN
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 1.5
  • 另议
  •  
    MJD32C
    描述：贴片TO-252 品牌长电 PNP
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 2.2
  • 另议
  •  
    MJD44H11G
    描述：贴片TO-252 进口ON NPN
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 5.5
  • 另议
  •  
    MJD45H11G
    描述：贴片TO-252 进口ON PNP
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 5.5
  • 另议
  •  
    IMZ4T108
    描述：SOT23-6 品牌ROHM/罗姆 NPN/PNP双硅晶体管
  • 数量
  • 1
  • 100
  •  
  • 价格
  • 0.9
  • 0.72
  •  
    IRF530
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=14A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.18欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=8A,耗散功率PD=75W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.1
  • 1.8
  •  
    IRF530NS
    描述：TO-263贴式 N沟道,通态漏极电流ID=14A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.18欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=8A,耗散功率PD=75W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.7
  • 2.4
  •  
    IRF540N
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=33A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.044欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=16A,耗散功率PD=130W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.4
  • 2
  •  
    IRF610
    描述：TO-220 N沟道,3.3A,200V,1.5ohm,硅,场效应管
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.8
  • 2.4
  •  
    IRF620
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=6A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=200V,漏源电阻RDS(on)<=0.8欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=3A,耗散功率PD=70W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.8
  • 2.4
  •  
    IRF630B
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=9A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=200V,漏源电阻RDS(on)<=0.4欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=4.5A,耗散功率PD=72W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 10
  •  
  • 价格
  • 2.9
  • 2.55
  •  
    IRF640N
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=18A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=200V,漏源电阻RDS(on)<=0.15欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=11A,耗散功率PD=150W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2
  • 1.65
  •  
    IRF730
    描述：TO-220 N沟道,通态漏极电流ID=5.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=400V,漏源电阻RDS(on)<=1欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=3.3A,耗散功率PD=74W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3
  • 2.6
  •  
    IRF740
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=10A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=400V,漏源电阻RDS(on)<=0.55欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=5.3A,耗散功率PD=125W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 3
  • 2.6
  •  
    IRF840
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=8.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=500V,漏源电阻RDS(on)<=0.85欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=4.8A,耗散功率PD=147W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4
  • 3.5
  •  
    IRF1010E
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=84A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=0.012欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=50A,耗散功率PD=147W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 10
  •  
  • 价格
  • 3.5
  • 3
  •  
    IRF3205
    描述：TO-220 N沟道,漏极电流ID=110A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=55V,漏源电阻RDS(on)<=0.008欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=62A,耗散功率PD=200W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 2.8
  • 2.3
  •  
    IRF3710PBF
    描述：TO-220 N沟道,57A,100V,0.023ohm 品牌IR
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 4.5
  • 另议
  •  
    IRF4905
    描述：TO-220 P沟道,漏极电流ID=-74A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=-55V,漏源电阻RDS(on)<=0.02欧 at 栅源电压VGS=-10V 漏极电流ID=-38A,耗散功率PD=200W at 25摄氏度
  • 数量
  • 1
  • 50
  •  
  • 价格
  • 5.3
  • 4.8
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